GLOBALFOUNDRIESは22nm世代のhigh-k/メタルゲート技術を発表
米GLOBALFOUNDRIES社は、2009年6月15〜18日に京都で開催された半導体関連の国際学会「2009 Symposia on VLSI Technology and Circuits（2009 VLSI Symposia）」において、高誘電率（high-k）/金属ゲート・トランジスタを22nm世代かそれ以下に小型化できる技術を発表した（「Extremely Scaled Gate-First High-k/Metal Gate Stack with EOT of 0.55 nm Using Novel Interfacial Layer Scavenging Techniques for 22nm Technology Node and Beyond」、セッション7-2）。
22nm世代で、high-k/メタルゲート・トランジスタの製造が出来そうだ、ということでしょうか。 GLOBALFOUNDRIES社は、もちろんAMD社の製造部門のスピンオフによって設立された半導体ファウンドリ企業ですが、この発表はSOIプロセスの話しではないため、CPUの製造とはおそらく直接関係のないものです。
22 nmですか・・・
原子66個程度。
もはや「電流」と言える状態ではないですね。
なにがどうなってるんだろう???
たしかAMDは32nm以降はSOIプロセス使わずにバルクプロセスで
製造するって噂があったような気がします。
結構昔の噂だったので今どうなってるかまでは確認できませんでしたが、
そういう噂があったので、22nmでSOI使ってるかはわかりませんよ？
＞SOIプロセス使わずに
そんな話がありましたか 。製造がGLOBALFOUNDRIESに移って、バルクプロセスも平行して提供される体制に変わったので、余計にその話が現実味を帯びてきますね。
IBMが「SOIプロセス」の今後をどう考えているか、しだいですよねぇ。
＞原子66個程度
よくそんな換算を瞬時に思いつきますね、
しかし原子66個程度しかない世界で、よくロジック回路ができるなあ、22nm世代だと16コアくらいのプロセッサだろうか？
たしか厚さが原子一個分のトランジスタの話があったと思って
探してみたらありました。
世界最小「原子1個分の薄さ」のトランジスターを開発
http://wiredvision.jp/news/200804/2008041823.html
原料がシリコンではないようですが、シリコンでも16nmくらいまではいけそうですね。
シリコンでは、だんだん限界に近づきつつあるんですね