GLOBALFOUNDRIESは22nm世代のhigh-k/メタルゲート技術を発表
米GLOBALFOUNDRIES社は、2009年6月15〜18日に京都で開催された半導体関連の国際学会「2009 Symposia on VLSI Technology and Circuits(2009 VLSI Symposia)」において、高誘電率(high-k)/金属ゲート・トランジスタを22nm世代かそれ以下に小型化できる技術を発表した(「Extremely Scaled Gate-First High-k/Metal Gate Stack with EOT of 0.55 nm Using Novel Interfacial Layer Scavenging Techniques for 22nm Technology Node and Beyond」、セッション7-2)。
22nm世代で、high-k/メタルゲート・トランジスタの製造が出来そうだ、ということでしょうか。 GLOBALFOUNDRIES社は、もちろんAMD社の製造部門のスピンオフによって設立された半導体ファウンドリ企業ですが、この発表はSOIプロセスの話しではないため、CPUの製造とはおそらく直接関係のないものです。