日本オリジナルで作成したインテルの新TV CM、「マユゲ編」と「まぐろ編」の放送が始まりました。どちらもちょっと面白い。インテルのサイト上からも公開が始まりました
http://www.intel.co.jp/jp/tomorrow/#/tvcm
ワシントン条約でクロマグロの国際取引が禁止されるかもしれないというこの時期に、なぜ「まぐろ」なのか・・・またしてもインテルは不思議CMを作ったようだ。
日本にとってなくてはならないもの、とかの意味かもしれないが、ただなんとなくね・・ってことかもしれない、余裕だなインテル。もしこのマグロをAMDがやったとしたら、絶滅が危惧されてるの、とか言われかねません。
米GLOBALFOUNDRIES社は、2009年6月15〜18日に京都で開催された半導体関連の国際学会「2009 Symposia on VLSI Technology and Circuits（2009 VLSI Symposia）」において、高誘電率（high-k）/金属ゲート・トランジスタを22nm世代かそれ以下に小型化できる技術を発表した（「Extremely Scaled Gate-First High-k/Metal Gate Stack with EOT of 0.55 nm Using Novel Interfacial Layer Scavenging Techniques for 22nm Technology Node and Beyond」、セッション7-2）。
22nm世代で、high-k/メタルゲート・トランジスタの製造が出来そうだ、ということでしょうか。 GLOBALFOUNDRIES社は、もちろんAMD社の製造部門のスピンオフによって設立された半導体ファウンドリ企業ですが、この発表はSOIプロセスの話しではないため、CPUの製造とはおそらく直接関係のないものです。
開発したのは高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲートを用いたFinFET（フィン形状の立体構造電界効果トランジスタ）で、セル面積がわずか0.128μm2と、立体型としては世界最小のSRAMセル。このFinFETは、22nm世代以降において従来の平面のFETに比べ著しく優位であることを確認したとしています。 サンフランシスコで開催中の半導体国際学会（IEDM）で16日（現地時間）発表。
従来の平面トランジスタを用いてSRAMセルを作製する場合、半導体メーカーは一般的に高濃度の不純物をデバイス部分に注入することでトランジスタの特性を調整してトランジスタを小型化していました。しかし、この調整方法は望ましくない特性ばらつきを生じさせ、SRAMの安定動作性を低下させてしまいます。この問題は特に22nm世代以降において深刻になりつつあります。シリコンチャネル部分に不純物注入を必要としないFinFETは、ばらつきを抑制しつつSRAMセルの小型化を実現する、従来の平面トランジスタに代わるアプローチのひとつです。
EE Timesは、AMD Shanghaiプロセッサが、当初の予定を前倒しして出荷され、その売り上げが好調であると伝えています。
AMD社が製造した4コア品のShanghaiプロセッサは、当初の予定を前倒しして出荷中だが、詳細はまだ正式発表されていない。ただし、同社でサーバー担当のマーケティング・マネジャーを務めるBurke Banda氏によると、思い切った低価格を設定するという。さらに、65nm技術を適用した前世代の「Barcelona」と比べて性能を約35％も高めながら、消費電力は約30％低減したという。
AMDは、地球環境保護に関するビジョン「AMD Green」の一環として、日本AMDが2008年6月より実施しているコンシューマ向けキャンペーン「AMD eco プロジェクト」に、今回「AMD eco プロジェクト2009」プログラムを追加したと発表しました。
この「AMD eco プロジェクト2009」に参加しているPCメーカーのPC筐体には、出荷時に「AMD ecoステッカー」が貼付され、パッケージの中に「植樹証明書」が同梱されます。「植樹証明書」は、PC使用時に消費される電力により発生するCO2の一部を吸収固定※するために、対応PC1台につき1本のマングローブを、NGOを通じて植樹することを証明します。
対象PC要件： AMDのCPU（AMD Geodeプロセッサ等は除外）およびチップセットが搭載された日本国内にて出荷開始されるデスクトップおよびノートブックPC（企業向け、個人向け）
実施期間： 2008年11月1日より2009年12月31日まで
Samsung Electronicsは、2008年9月に、SanDisk社に対して1株当たり26米ドルの現金による買収を提案していると発表していたが、戦略を大きく転換し、米SanDisk（サンディスク）社に対する買収提案を撤回した。
AMDは、2008年10月7日、アブダビのAdvanced Technology Investment Company社（ATIC）と共同で、新たに半導体製造のファウンダリ会社(一時的な名称としてThe Foundry Company)を設立し、独ドレスデンの2つの製造施設（Fab36、Fab38）と関連資産および知的財産権からなる製造施設をこの「The Foundry Company」に拠出すると発表。AMDは噂通り、本当に製造部門を分離することを決定したようです。
また、ATICは、The Foundry Companyの株式購入に21億ドルを投資、そのうち14億ドルはこの新企業に直接投資され、残りはAMDに支払われThe Foundry Companyの増資株の購入にあてる。 The Foundry Companyは、AMDの既存債務約12億ドルを引き受け、製造能力を拡大するために、ATICはThe Foundry Companyに対して、今後5年間で最小36億ドル、最大60億ドルの追加的な資金拠出を約束、としています。
パイオニアは2008年7月7日に、400ギガバイトの大容量をもつ再生専用光ディスクの開発に成功したと発表しましたが。この時は1記録層当たりの記録容量は25ギガバイトで、その記録層を16層に積層したディスクとしていました。pioneer.jp 07/07
しかしEE Times Japanによれば、今回パイオニアは20層から成る記録容量500Gバイトの光ディスク技術を開発したと発表した模様。
パイオニアは、12cm径で20層から成る記録容量500Gバイトの光ディスク技術を開発した。1層分の容量はBlu-ray Discと同じ25Gバイト。20層構造を採ることで500Gバイトとした。2008年7月に米国ハワイ島で開催された光ディスク関係の学会「ISOM/ODS 2008」で発表した。
もしこれが実用化され、書き込みも可能になれば、HDDのバックアップには願ってもないスペックなんですが...
ソニーとNECは、ソニーNECオプティアーク株式会社（2006年4月3日に設立した光ディスクドライブ事業の合弁会社）のNEC保有株式（45％）を、ソニーへ譲渡するための契約を、9月11日に締結したと発表。新会社は『ソニーオプティアーク株式会社』となる。Sony NEC Optiarc
今後ソニーは、SNOをソニーグループの100％子会社とし、グループ内のセットやデバイス事業との連携をより強化するとともに、ソニーおよびSNOにおいて今まで以上に迅速な意思決定および機動的な経営を推進し、次世代光ディスクドライブ事業の一層の強化を図ってまいります。 また、NECは、今後ともNECエレクトロニクス株式会社を通じ、光ディスクドライブの製品力向上にLSI分野で貢献してまいります。
米IBM社とNECエレクトロニクスは、次世代の半導体プロセス技術を共同で開発することに合意し、複数年にわたる共同開発契約を締結したと2008年9月11日に発表した。NECエレクトロニクスはこの契約に基づき、32nm世代の次世代CMOSプロセス技術に向けてIBM社が主導する共同開発プロジェクトに合流するとともに、将来の最先端半導体技術に関する先進的な基礎研究に参加する
IBM社主導の半導体プロセス開発グループは「IBM-LED CHIP ALLIANCE」と呼ばれ 参加企業は、IBM、チャータード・セミコンダクター、フリースケール、インフィニオンテクノロジーズ、サムスン電子、STマイクロエレクトロニクス、東芝でしたが、今回これに8社目のメンバーとしてNECエレクトロニクスが加わったということになります。
