hpがメモリスタの製造に成功

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抵抗、コンデンサ、インダクタに次ぐ「第4の受動素子」をHP社が実現

Hewlett Packard社の研究部門であるHP Labsは、通過した電荷量に応じて抵抗値が変化する素子「メモリスタ(memristor)」の製造に成功したことを発表した。メモリスタの存在は、1971年に米University of California, Berkeleyの教授であるLeon Chua氏がIEEEで発表した論文において指摘されていたが、実際に素子として製造されたのは、今回のHP社の成果が世界初とのこと。

メモリスタ(memristor)

Chua氏は、1971年の論文発表以降37年もの間、メモリスタが実現されなかった理由について、「これまで知られていた電子回路理論には、ある誤解があった」と述べる。その誤解とは、受動回路の基本的原理は電圧と電荷の関係であるという考え方だ。しかしChua氏とWilliams氏によれば、「実際には、電圧の変化と電荷の関係、すなわち磁束と電荷の関係が基本的原理である。この知見によって、HP社はメモリスタを実現できた」という。 EE Times 0502

電子回路理論にもたらす新たなパラダイム

電流回路理論においてはこれまで、ある状態からもう1つの状態に切り替わる際に変化速度が増す「ヒステリシス現象」を受動回路の基本的な特性であるにもかかわらず、例外として扱われてきた。この「ヒステリシス現象」が従来の理論で説明できないことに着目し、この現象がメモリスタの存在を証明するものであることに気付いた。としている。 さらにChua氏とWilliams氏によれば、「エレクトロニクスのすべての教科書を、メモリスタの実現が電子回路理論にもたらす新たなパラダイムを取り込むために、改訂する必要があるだろう」としています。

私はなんとなくしか理解できませんが、これ凄いことをさらっと言ってますよね。

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2008年5月 3日 作成:ita

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